2008/12/25
ナノテクノロジー入門／ナノギャップ不揮発性メモリ素子の高集積化
---＜ＰＲ＞-------------------------------------------------------＜ＰＲ＞--- ■情報ハブ株式会社は、以下の事業を開始します。 エグゼクティブ向け「書籍などの代読＆ポイント整理＆文章制作代行」サービス 経営者が、業務に関連した本や贈呈された本などを読む必要があるが、 とてもその時間が取れないという場合に、その経営者や会社の問題意識に 立ちながら代読し、ポイントを整理し、必要ならそれに関する文章制作も 代行するというサービスです。 料金の目安や申し込み方などをお知りになりたい方は、subjectに 「DAIDOKU_INFO」と書き、contents@qj8.so-net.ne.jpにメールをください。 ---＜ＰＲ＞-------------------------------------------------------＜ＰＲ＞--- -------------------------------------------------- ※「ナノテクノロジー入門」は、インターネットの本屋さん『まぐまぐ』を利用して 不定期に発行(http://www.mag2.com/)：ＩＤ＝0000124797 ※購読中止は下記のページからどうぞ。 http://www.mag2.com/m/0000124797.htm -------------------------------------------------- ※前回読者数＝469人 ※ナノテクノロジーに関する翻訳や記事制作や資料制作のニーズなどありましたら、 contents@qj8.so-net.ne.jpにご一報ください。 ■ナノギャップ不揮発性メモリ素子の高集積化 電源を切っても内部状態が消えない（不揮発性）という素晴らしい性質を 持つフラッシュメモリ。小形で大容量の記憶素子として、ＵＳＢメモリなど 近年非常にポピュラーになってきています。しかし動作速度がやや遅いので、 使い道はある程度限定されます。 産業技術総合研究所は、酸化シリコン基板上に作製した10nm程度の微小間 隙を持つ金属（金など）の電極に電圧を加えることで、金属間の間隙幅が不 揮発的に変化すること、それによりトンネル抵抗値が不揮発的に変化するこ とを確認しています。これは動作速度がフラッシュメモリより速い不揮発性 メモリへの可能性を示唆するものであり、同研究所ではナノギャップ不揮発 性メモリ素子と呼んでいます。 2008年11月27日には、２つの金属同士を横に並べるのではなく縦に少し離 して積み重ねても同様の効果を確認したと発表しました。これにより高集積 化への道をひらいたわけです。トンネル抵抗を多段階に制御することにより、 フラッシュメモリと同じく一つの素子に多値（複数ビット）を記憶させるこ とも可能です。10万回以上状態を変化させることが可能で、これもフラッシ ュメモリの特性を上回っています。記憶状態の保持期間も長く、半年を越え てもほぼ変化しません。 ----- 発行人：情報ハブ株式会社 加藤良平／contents@qj8.so-net.ne.jp／03-3944-7988
