2008/04/18
ナノテクノロジー入門／速攻入門＋資料作成キット：半導体
---＜ＰＲ＞-------------------------------------------------------＜ＰＲ＞--- メールマガジン「社内ヒアリング力〜個と組織の両立型人材開発」がスタートしました。 http://www008.upp.so-net.ne.jp/contents/hearing.html 行き過ぎた成果主義の結果、疑心暗鬼がはびこるようになった組織を、いかに立て直すか。 そのキーワードとして注目されている「社内ヒアリング」を実践重視で解説します。 ---＜ＰＲ＞-------------------------------------------------------＜ＰＲ＞--- -------------------------------------------------- ※「ナノテクノロジー入門」は、インターネットの本屋さん『まぐまぐ』を利用して 不定期に発行(http://www.mag2.com/)：ＩＤ＝0000124797 ※購読中止は下記のページからどうぞ。 http://www.mag2.com/m/0000124797.htm -------------------------------------------------- ※前回読者数＝561人 ※ナノテクノロジーに関する翻訳や記事制作や資料制作のニーズなどありましたら、 contents@qj8.so-net.ne.jpにご一報ください。 ■今年のゴールデン・ウィーク、半導体に強くなって、同僚から頼られてみませんか。 情報ハブ株式会社は、「速攻入門＋資料作成キット：半導体」を発売します。税込み価格3,360円。 購入ご希望の方は、contents@qj8.so-net.ne.jp／03-3944-7988までご連絡をお願いします。 http://www008.upp.so-net.ne.jp/contents/charthandou.html 〈内容・特徴〉 ・半導体の基本原理や各種技術、最新動向などを、 ビジュアルな図表と説明文章という形でまとめた、「速攻入門＋プレゼン等資料作成用キット」です。 ・図表は「目次」含め41ページ（１章１ページ）のパワーポイント・ファイルです。 ・図表も文章も、報告書、プレゼンテーションや講義などの資料、ＷＥＢサイト、 メールマガジン、配布物（含有料）の一部など、さまざまな媒体への転載が自由です。 ・ユーザー側で改変したり事例を加えたりして、独自の資料への書き換えが自由です。 ・購入後３か月間、１回、20分以内に限り、内容についての質問に電話で解説します。 電話代はご負担下さい。日本語300字程度で答えられる場合はメールでの解説も可。 〈購入方法など〉 ・下記情報ハブ株式会社にご注文下さい。振込先口座などをメールでご連絡します。 ・お振込みの連絡・確認後、ファイル（400ＫＢ強）をメール添付でお送りします。 ・弊社（東京都文京区千石）にてフロッピーやＣＤ-Ｒでの直接販売も可。必ず事前にご連絡下さい。 〈ご注意〉 ・転載・公開はあらゆる場所でＯＫですが、本商品自体の転売や譲渡はできません。 ・本コンテンツ全体または大半を、無断で書籍やＣＤ-ＲＯＭなどにはできません。 ・授業や講習会やセミナーなどの受講者に紙出力の形でお配りするのはＯＫです。 ・パワーポイントのプログラム・ソフトは、購入者側でご用意ください。 ・ＭＳワードなど、ほかのファイル形式で欲しい方は、別途ご相談ください。 ・社内輪講などでファイルをコピーして使いたい場合、別途ご相談ください。 〈章立て〉 １章／半導体の意味と使い道 ２章／電気抵抗と抵抗率と半導体 ３章／半導体となる元素と化合物 ４章／電子状態でみた導体、絶縁体、半導体 ５章／バイポーラとＭＯＳ ６章／ｐｎ接合とダイオード ７章／バイポーラによるトランジスタ ８章／電界効果型ＭＯＳトランジスタ ９章／半導体デバイスの全体像 10章／非同期論理回路とメモリ 11章／デジタルＩＣの基本機能 12章／デジタルＩＣの付加機能 13章／いろいろなＡＳＩＣ、そしてＡＳＳＰ 14章／ＡＳＩＣ設計の基本手順 15章／ＡＳＩＣの牙城に迫るＦＰＧＡ 16章／ＣＩＳＣ、ＲＩＳＣ、そしてＤＳＰ 17章／システムＬＳＩ〜ＳｏＣとＩＰコア 18章／フラッシュメモリの基本原理 19章／ＣＣＤとＣＭＯＳセンサ 20章／ナノテク応用高性能有機半導体材料 21章／ファブレスとＥＤＡとＤＦＭ 22章／半導体デバイス製造の全体的な流れ 23章／シリコン・ウェハー 24章／フォトマスクの作成 25章／広義のリソグラフィの全体像 26章／酸化膜やフォトレジスト膜の形成 27章／狭義のリソグラフィ（露光） 28章／ＲＩＥに代表されるエッチング 29章／不純物添加〜イオン注入と熱拡散 30章／化学的機械的研磨による平坦化 31章／フォトレジスト除去や洗浄や乾燥 32章／アルミニウムや銅による配線 33章／液浸やＥＵＶを用いる短波長技術 34章／電子ビームによるリソグラフィ 35章／ＯＰＣやＰＳＭなどの超解像度技術 36章／High-k絶縁膜とLow-k絶縁膜 37章／ＳＯＩ技術や歪みシリコン技術 38章／後工程１〜ダイシング 39章／後工程２〜ボンディング 40章／半導体ロードマップＩＴＲＳ ----- 発行人 加藤良平／contents@qj8.so-net.ne.jp／03-3944-7988
